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      Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET

          

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      品牌Behlke 有效期至長(cháng)期有效 最后更新2020-07-17 16:57
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      Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET

      高軻
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       Behlke高壓開(kāi)關(guān)SiC和溝槽FET  
       
      ● 通過(guò)碳化硅FET(SiC)或溝槽FET技術(shù)實(shí)現極低的導通電阻 ● 具有真正繼電器特性的多功能HV開(kāi)關(guān) ● 可通過(guò)TTL信號控制導通時(shí)間 ● 低動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)損耗和 極低的導通損耗 ● 適用于工業(yè)電源應用 ● 過(guò)載和電壓反轉方面均很堅固 ● 出色的dv / dt抗高壓瞬變能力  
       
      應用說(shuō)明一:  BEHLKE固態(tài)開(kāi)關(guān)具有極高的上升和下降時(shí)間。如果您的應用不需要全切換速度,我們建議您結合使用速度限制選件S-TT(將上升和下降時(shí)間慢大約50%)與輸入低通濾波器選件LP結合使用。限速選件有助于最大程度地減少快速高壓脈沖電路常見(jiàn)的高頻困難(例如,自激振蕩,自觸發(fā),振鈴等),并總體上簡(jiǎn)化了EMC設計。
       
      應用筆記二:快速固態(tài)開(kāi)關(guān)對于不受鉗位的電感負載或過(guò)大的布線(xiàn)電感產(chǎn)生的反向電流相對敏感。反向電流可能會(huì )以不確定的方式導通慢速本征(寄生)FET二極管,并且可能導致災難性的開(kāi)關(guān)故障,尤其是在關(guān)斷階段結合高關(guān)斷電流時(shí)。因此,當將電感性負載或高電感性布線(xiàn)連接到開(kāi)關(guān)時(shí),建議始終將FET開(kāi)關(guān)與快速續流二極管網(wǎng)絡(luò )(快速串聯(lián)隔離二極管+并聯(lián)快速續流二極管)組合使用。該保護二極管網(wǎng)絡(luò )可以通過(guò)BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管從外部安裝。它還可以作為選件I-FWDN集成到交換模塊中。
       
      出口限制:根據美國法律和德國法律(雙重使用法規),對具有最大峰值電流等于或大于500安培的快速固態(tài)開(kāi)關(guān)進(jìn)行出口限制。未經(jīng)美國或德國出口當局的有效出口許可證,不得將這些貨物出口到第三國??赡苄枰罱K用戶(hù)聲明。請咨詢(xún)BEHLKE。
       
      產(chǎn)品代碼:型號包含有關(guān)電壓,電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。前幾位代表電壓,單位為kV,破折號前的最后一位代表接通行為(0 =固定接通時(shí)間,1 =可變接通時(shí)間)。破折號后的數字表示以安培x10為單位的電流。第二個(gè)破折號后的字母將對特殊功能進(jìn)行編碼。示例HTS 61-15-SiC:HTS = HV晶體管開(kāi)關(guān),6 = 6 kV,1 =可變導通時(shí)間,120 = 1200安培,SiC =碳化硅(或B =低導通電阻溝道FET)  
       
       
      B-CON
       
      初學(xué)者的配置: 標準開(kāi)關(guān)配備了各種選件,可以為沒(méi)有高壓和高頻電路設計經(jīng)驗的用戶(hù)簡(jiǎn)化首次實(shí)驗。初學(xué)者的配置包括FH和PT-HV選件,可輕松進(jìn)行布線(xiàn)和連接,而無(wú)需印刷電路板;以及LS-C,LP和S-TT選件,可實(shí)現非關(guān)鍵的EMC性能。沒(méi)有經(jīng)驗的用戶(hù)還應考慮與選件I-PC或PC結合使用,以避免高壓接線(xiàn)和/或高頻噪聲行為可能造成的困難。(2)
       
      HFB 高頻突發(fā):通過(guò)外部緩沖電容器改善驅動(dòng)器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生的間隔小于10μs的脈沖超過(guò)10個(gè),則建議使用。
      高鐵
       
      高頻開(kāi)關(guān):外部提供輔助驅動(dòng)器電壓(根據類(lèi)型為50-350 VDC)。是否必須超過(guò)規定的“最大工作頻率”。(2)
       
      LP
       
      低通:控制輸入??上的低通濾波器。傳播延遲時(shí)間將增加約50 ns。抖動(dòng)+ 500 ps。在高速應用中提高了抗噪能力,并減少了關(guān)鍵布線(xiàn)。(3)
       
      快速
       
      由于增加了驅動(dòng)器功率,因此切換時(shí)間更快(-30至-40%)。最短接通時(shí)間將減少約40%至50%。僅適用于選定的大電流開(kāi)關(guān)。請咨詢(xún)工廠(chǎng)。(2)  
       
      兒子
       
      軟啟動(dòng):  “啟動(dòng)上升時(shí)間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡(jiǎn)化EMC設計并減少關(guān)鍵性布線(xiàn)。(3)
       
      關(guān)閉
       
      軟關(guān)閉:“關(guān)閉上升時(shí)間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡(jiǎn)化EMC設計并減少關(guān)鍵性布線(xiàn)。(3)
       
      S-TT
       
      軟過(guò)渡時(shí)間:“開(kāi)啟上升時(shí)間”和“關(guān)閉上升時(shí)間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡(jiǎn)化EMC設計并減少關(guān)鍵性布線(xiàn)。(3)
       
      最小開(kāi)啟
       
      最小接通時(shí)間:?jiǎn)为氃黾幼钚〗油〞r(shí)間,以確保獨立于控制信號的最小接通持續時(shí)間。用于安全相關(guān)電路。
       
      最小關(guān)
       
      最小關(guān)閉時(shí)間:?jiǎn)为氃黾幼钚£P(guān)閉時(shí)間,以確保獨立于控制信號的最小關(guān)閉持續時(shí)間。用于安全相關(guān)電路。
       
      ST
       
      級分接:  在堆疊各個(gè)級的連接器,以利用單個(gè)功率半導體。為了在非常低的工作電壓(<0.01xVo)下也獲得快速的上升時(shí)間。
       
      LNC
       
      低自然電容:C N降低約30%。為了在具有高開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)電壓(Pc = V 2 x C xf)的應用中最小化電容性功率損耗。
       
       
      低漏電流:斷態(tài)電流降至指定值的10%以下。不適用于散熱片選件和UF系列的開(kāi)關(guān)。
       
      LN
       
      低噪聲:  內部電源驅動(dòng)器經(jīng)過(guò)修改,可在特定時(shí)間段內實(shí)現零噪聲排放。僅與敏感的檢測器放大器(例如,SEV / MCP應用)結合使用。(2)
       
      ISO-25
       
      25 kV隔離:  隔離電壓增加到25 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會(huì )改變。
       
      ISO-40
       
      40 kV隔離:  隔離電壓增加到40 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會(huì )改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。
       
      ISO-80
       
      80 kV隔離:  隔離電壓增加到80 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會(huì )改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。
       
      ISO-120
       
      120 kV隔離:隔離電壓增加到120 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會(huì )改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。
       
      PL
       
      被動(dòng)鎖定:特殊的禁止功能,用于快速推挽電路中的兩個(gè)單個(gè)開(kāi)關(guān)。無(wú)源開(kāi)關(guān)的輸入將被激活的開(kāi)關(guān)鎖定,以避免因噪聲而導通。
       
      電腦
       
      集成的零件組件:根據客戶(hù)的規格集成小零件的組件(例如,緩沖電容器,緩沖器,阻尼電阻器,二極管,光電耦合器)。(2)
       
      前輪驅動(dòng)
       
      集成式自由二極管:  內置并聯(lián)二極管,恢復時(shí)間短。僅與感性負載有關(guān)。
       
      固網(wǎng)
       
      集成式空轉二極管網(wǎng)絡(luò ):內置并聯(lián)二極管加串行截止二極管,恢復時(shí)間短。僅與感性負載有關(guān)。
       
      SPT-C
       
      用于控制連接的屏蔽尾纖:帶LEMO插頭+插座和100Ω端接的電纜(l = 300mm,Z =100Ω)。與驅動(dòng)器電路的距離較遠時(shí),提高了抗噪能力。(3)
       
      PT-C
       
      尾纖用于控制連接:帶有PCB連接器的柔性引線(xiàn)(l = 75 mm)。該選項僅與帶引腳的開(kāi)關(guān)模塊有關(guān)。推薦用于帶有CF和GCF選項的模塊。
       
      密碼
       
      用于控制連接的引腳:用于印刷電路板設計的鍍金引腳(可提供特殊插座)。該選項僅與帶有標準尾纖的交換模塊有關(guān)。
       
      高壓
       
      高壓連接的尾纖:帶電纜接線(xiàn)頭的柔性引線(xiàn)。為了增加爬電距離。PT-HV是開(kāi)關(guān)電壓大于25 kV的所有類(lèi)型的標準配置。不建議在極快的電路中使用。
       
      ST-HV
       
      用于HV連接的螺釘端子:模塊底部的螺紋插入件(如果不是標準的話(huà))。用于PCB設計。在25 kV以上的電壓下運行需要液體絕緣(Galden®/油)或灌封。
       
      9月
       
      獨立控制單元。 帶LED指示器的控制單元在單獨的外殼中(尺寸為79x38x17 mm)。帶插頭的連接電纜(<1m)。帶焊針或尾纖的控制單元。
       
      信息系統 光纖輸入/禁止:附加的禁止輸入,通過(guò)將禁止輸入與光纖信號一起使用來(lái)關(guān)閉開(kāi)關(guān)(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
      信息技術(shù) 光纖輸入/控制:附加的光纖控制輸入,通過(guò)光纖信號觸發(fā)開(kāi)關(guān)(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
      FOO-F 光纖輸出/故障:附加的光纖輸出,用于通過(guò)光纖信號讀出故障情況(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
      UL94
       
      阻燃鑄造樹(shù)脂:符合UL-94-VO的鑄造樹(shù)脂。所需的最低訂購量。(2)
       
      跳頻 法蘭外殼: 塑料法蘭外殼,用于絕緣連接到導電表面。如果該開(kāi)關(guān)不適用于印刷電路板,則是理想選擇。建議使用選項PT-HV。
      TH
       
      管狀殼體:管狀而不是矩形殼體。適應特定的環(huán)境條件或遇到困難的組裝情況。(2)
       
      足球俱樂(lè )部
       
      平整外殼:標準塑料外殼的高度減小到19毫米或更小。不能與CF,GCF和DLC冷卻選項組合使用。
       
      國貿中心
       
      增加的導熱系數:特殊的模制工藝可增加模塊的導熱系數。Pd(max)將增加約。20-30%。(2)
       
      碳纖維
       
      銅散熱片d = 0.5毫米:散熱片 高度35毫米。鍍鎳。用于強制對流或自然對流的空氣冷卻,以及非導電冷卻液的液體冷卻。
       
      CF-1
       
      銅散熱片d = 1毫米:散熱片厚度為1.0毫米而不是0.5毫米。最高 功耗Pd(max)將增加約80%。用于空氣或液體冷卻(例如Galden®或油)。
       
      CF-X2
       
      銅散熱片“ XL”:散熱片面積增加了2倍。推薦用于自然空氣對流。與強制空氣或液體冷卻有關(guān)的冷卻功率沒(méi)有明顯改善。
       
      CF-X3
       
      銅制散熱片“ XXL”:散熱片面積增加了3倍。推薦用于自然空氣對流。與強制空氣或液體冷卻有關(guān)的冷卻功率沒(méi)有明顯改善。
       
      CF-CS
       
      定制形狀的銅散熱片:個(gè)性化的形狀可以滿(mǎn)足特定的OEM要求。(2)可以與選件CF-1,CF-D和CF-S組合使用,以提高冷卻能力。
       
      CF-LC
       
      用于液體冷卻的銅散熱片:雙散熱片,鍍鎳銅,高20毫米。用于浸入油箱等中。建議強制對流。與opt組合。CF-S。
       
      碳纖維
      雙銅 散熱片: 約。約100%的冷卻功率 散熱片之間的間距為2mm,建議強制對流。與opt組合。CF-S,CF-X2,CF-X3和CF-CS。
       
      碳纖維
      銅散熱 片:半導體焊接在散熱片上。約 冷卻能力提高30%至100%(取決于類(lèi)型)。與選件CF-D,CF-X2,CF-X3和CF-CS組合。
       
      CF卡
       
      由石墨制成的非隔離式散熱片: 在類(lèi)似的熱傳遞條件下,與銅相比,重量很輕,但熱容卻降低了。厚度為0.5或1毫米,高度為35毫米。
       
      碳減排量
       
      陶瓷制成的隔離式散熱片: 傳熱特性類(lèi)似于氧化鋁。建議使用強制對流,因為散熱片之間的間距為2 mm。高度35毫米。
       
      CCS
       
      陶瓷冷卻表面:開(kāi)關(guān)模塊的頂部由陶瓷制成。傳熱性能類(lèi)似于氧化鋁。最高 20 kVDC隔離。建議強制對流。
       
      CCF
       
      陶瓷冷卻法蘭:開(kāi)關(guān)模塊的底部由平磨陶瓷板制成。集成金屬框架,確保均勻,安全的接觸壓力。最高 40 kVDC隔離。
       
      C-DR
       
      驅動(dòng) 器冷卻:驅動(dòng)器和控制電子設備的額外冷卻。建議在較高的開(kāi)關(guān)頻率下與選件HFS結合使用。(2)
       
      GCF
       
      接地冷卻法蘭:中功率的鍍鎳銅法蘭。最高 隔離電壓40kV。耦合電容CC增加。
       
      GCF-X2
       
      接地冷卻法蘭,最大值 連續功耗增加了2   倍:減小了“切換到法蘭”的熱阻,使功率消耗增加了一倍。(2)
       
      國際勞工大會(huì )
       
      間接液體冷卻: 液體冷卻適用于所有類(lèi)型的導電冷卻劑,包括。水。內部熱交換器由陶瓷制成。用于中等功耗。
       
      DLC
       
      直接液體冷卻:內部冷卻通道環(huán)繞功率半導體。高頻應用中最有效的冷卻方式。僅非導電冷卻液。
      聯(lián)系方式
      北京漢達森機械技術(shù)有限公司
      總部地址:北京市順義區 旭輝空港中心 C-1035
      電話(huà):010-64714988/010-64717020
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