behlke直供高壓開(kāi)關(guān)HTS 120-96-B

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behlke直供高壓開(kāi)關(guān)HTS 120-96-B

型號包含有關(guān)電壓，電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。第一個(gè)數字代表以kV為單位的電壓，短劃線(xiàn)前的最后一個(gè)數字表示開(kāi)啟行為，（0 =固定導通時(shí)間，1 =可變導通時(shí)間）。短劃線(xiàn)后面的數字表示以安培x10為單位的電流。特殊功能在第二個(gè)破折號后由字母編碼。示例HTS 40-06-B：HTS = HV晶體管開(kāi)關(guān)，4 =4 kV，0=固定導通時(shí)間，06=60安培，B=溝槽FET

應用：激光和醫療設備 大學(xué)實(shí)驗室研究所等

1.采用TrenchFET MOSFET技術(shù)的高壓開(kāi)關(guān)，

2.極低的導通電阻，能量損耗小

3.極高的EMC耐受性，

4.即使在較高的開(kāi)關(guān)頻率下也具有較低的控制功率。

5.

6.HFB

高頻突發(fā)：通過(guò)外部緩沖電容提高驅動(dòng)器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生超過(guò)10個(gè)間距小于10μs的脈沖，建議使用。

HFS高頻開(kāi)關(guān)：外部提供輔助驅動(dòng)電壓（根據型號為50-350 VDC）。必須超過(guò)規定的“最大工作頻率”。

低通：控制輸入端的低通濾波器。傳播延遲時(shí)間將增加~50 ns。抖動(dòng)+ 500 ps。在高速應用中提高了抗噪性和不太關(guān)鍵的布線(xiàn)。

DT延遲觸發(fā)：“總開(kāi)啟時(shí)間”不可逆轉地增加到>1μs。

軟啟動(dòng)：開(kāi)啟上升時(shí)間增加約20％。如果不需要盡可能短的邊緣陡度，則簡(jiǎn)化的EMC設計和不太重要的布線(xiàn)。

常用型號：

behlke HTS 90-96-B 9.6KV 960A

behlke HTS 180-48-B 18KV 480A

behlke HTS 120-96-B 12KV 960A

behlke HTS 240-48-B 24KV 480A

behlke HTS 240-104-B 24KV 1040A

behlke HTS 051-120-B 51KV 1200A

behlke HTS 051-260-B 51KV 2600A

behlke HTS 31-12-B 3KV 120A

behlke HTS 31-125-B 3KV 125A

behlke HTS 31-250-B 3KV 2500A

behlke HTS 31-375-B 3KV 3750A

behlke HTS 61-12-B 6KV 120A

behlke HTS 61-25-B 6KV 250A

behlke HTS 71-62-B 7KV 620A

behlke HTS 71-125-B 7KV 1250

behlke HTS 71-187-B 7KV 1870A

behlke HTS 81-12-B 8KV 120A

behlke HTS 81-25-B 8KV 250A

behlke HTS 101-12-B 10KV 120A

behlke HTS 101-25-B 10KV 250A

behlke HTS 101-125-B 10KV 1250A

behlke HTS 121-30-B 12KV 300A

behlke HTS 141-62-B 14KV 620A

behlke HTS 151-12-B 15KV 120A

behlke HTS 151-25-B 15KV 250A

behlke HTS 181-12-B 18KV 120A

behlke HTS 181-25-B 18KV 250A

behlke HTS 211-12-B 21KV 120A

behlke HTS 211-25-B 21KV 250A