behlke HTS-B系列高壓開(kāi)關(guān)特點(diǎn)：
應用：激光和醫療設備 大學(xué)實(shí)驗室研究所等
1.采用TrenchFET MOSFET技術(shù)的高壓開(kāi)關(guān)，
2.極低的導通電阻，能量損耗小
3.極高的EMC耐受性，
4.即使在較高的開(kāi)關(guān)頻率下也具有較低的控制功率。
5.型號包含有關(guān)電壓，電流和開(kāi)啟行為的編碼信息。第一個(gè)數字代表以kV為單位的電壓，短劃線(xiàn)前的最后一個(gè)數字表示開(kāi)啟行為，（0 =固定導通時(shí)間，1 =可變導通時(shí)間）。短劃線(xiàn)后面的數字表示以安培x10為單位的電流。特殊功能在第二個(gè)破折號后由字母編碼。示例HTS 40-06-B：HTS = HV晶體管開(kāi)關(guān)，4 =4 kV，0=固定導通時(shí)間，06=60安培，B=溝槽FET
6.HFB
高頻突發(fā)：通過(guò)外部緩沖電容提高驅動(dòng)器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生超過(guò)10個(gè)間距小于10μs的脈沖，建議使用。
HFS
高頻開(kāi)關(guān)：外部提供輔助驅動(dòng)電壓（根據型號為50-350 VDC）。必須超過(guò)規定的“最大工作頻率”。
低通：控制輸入端的低通濾波器。傳播延遲時(shí)間將增加~50 ns。抖動(dòng)+ 500 ps。在高速應用中提高了抗噪性和不太關(guān)鍵的布線(xiàn)。
DT
延遲觸發(fā)：“總開(kāi)啟時(shí)間”不可逆轉地增加到>1μs。
軟啟動(dòng)：開(kāi)啟上升時(shí)間增加約20％。如果不需要盡可能短的邊緣陡度，則簡(jiǎn)化的EMC設計和不太重要的布線(xiàn)。
behlke HTS 40-26-B 4.8KV 260A
behlke HTS 90-13-B 9.6KV 130A
behlke HTS 100-12-B 10.8KV 120A
behlke HTS 30-60-B 3KV 600A
behlke HTS 60-24-B 6KV 600A
behlke HTS 60-30-B 6KV 300A
behlke HTS 70-30-B 7.2KV 300A
behlke HTS 40-60-B 4.8KV 600A
behlke HTS 90-30-B 9.6KV 300A
behlke HTS 60-60-B 6KV 600A
behlke HTS 120-30-B 12KV 300A
behlke HTS 160-48-B 16.8KV 480A
behlke HTS 90-96-B 9.6KV 960A
behlke HTS 180-48-B 18KV 480A
behlke HTS 120-96-B 12KV 960A
behlke HTS 240-48-B 24KV 480A
behlke HTS 240-104-B 24KV 1040A
behlke HTS 051-120-B 51KV 1200A
behlke HTS 051-260-B 51KV 2600A
behlke HTS 31-12-B 3KV 120A
behlke HTS 31-125-B 3KV 125A
behlke HTS-B系列開(kāi)關(guān)特點(diǎn)
韓麗萍
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