德國原廠(chǎng)進(jìn)口貝克BEHLKE高速高壓開(kāi)關(guān)

Frank 在該研究項目的早期開(kāi)發(fā)并實(shí)現了電子學(xué)。他非常喜歡這份工作，但它在 1985 年夏天變得特別令人興奮，當時(shí)科學(xué)家們要求 Frank 用他們的 LAMMA 1000 飛行時(shí)間質(zhì)譜儀 ( TOF-MS)的離子透鏡為一些實(shí)驗建造一個(gè)高壓脈沖發(fā)生器。）。就在第一款功率 MOSFET 上市的同時(shí)，弗蘭克立即意識到，這種全新材料可能是另一款革命性新產(chǎn)品的完美基礎。

1985 年整個(gè)夏天，他對這種新材料進(jìn)行了日夜試驗，然后他在研究所推出了第一個(gè)快速高壓推挽開(kāi)關(guān) ，這使研究人員能夠在 TOF-MS 中進(jìn)行離子解吸過(guò)程的特殊實(shí)驗。實(shí)驗取得了驚人的成功，他們意識到，通過(guò)以一定的延遲脈沖加速電壓，可以顯著(zhù)提高儀器的質(zhì)量分辨率，專(zhuān)家今天稱(chēng)這種方法為延遲提取。這一發(fā)現是弗蘭克斯公司的最初觸發(fā)因素。

 

 

 

高速高壓開(kāi)關(guān)：  我們正在設計和制造采用 MOSFET、SiC、IGBT、MCT 和晶閘管技術(shù)的單和推挽式開(kāi)關(guān)配置的快速高壓固態(tài)開(kāi)關(guān)模塊，適用于交流和直流，電壓高達 200 kV。固態(tài)開(kāi)關(guān)計劃分為兩個(gè)基本類(lèi)別：具有固定導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)（產(chǎn)品組 A 至 B4）和具有可變導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)（產(chǎn)品組 C1 至 C8）。具有固定導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)非常經(jīng)濟，主要用于簡(jiǎn)單的充電或放電電路。由于其出色的 EMC 特性，它們是用于阻尼振蕩的發(fā)電機電路中的理想開(kāi)關(guān)元件，尤其是與 FDA 系列的快速續流二極管連接時(shí)。如果應用需要極高的 di/dt、極快的電壓上升時(shí)間或極短的脈沖，則具有固定導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)也是首選。與具有固定導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)相比，具有可變導通時(shí)間的開(kāi)關(guān)具有真正的繼電器行為，因此更普遍適用。它們非常適合具有可變脈沖寬度、可變占空比的應用或需要無(wú)限導通時(shí)間的情況。和下降時(shí)間，通常與容性負載有關(guān)。與使用單個(gè)開(kāi)關(guān)的設置相比，推挽電路不需要工作電阻器，因此在較高工作頻率下的高壓功耗方面效率更高。由于沒(méi)有工作電阻，輸入儲能電容的尺寸可以減小到最小，而不會(huì )對產(chǎn)生的脈沖的頂部平坦度產(chǎn)生負面影響。因此，推挽開(kāi)關(guān)是對脈沖形狀有高要求的方波脈沖應用的理想選擇。BEHLKE 開(kāi)關(guān)模塊始終是電氣隔離的。它們可用作正電壓和負電壓的高邊開(kāi)關(guān)。如果在操作期間電壓極性必須改變（例如在具有正負離子加速的 TOF 質(zhì)譜儀中），然后考慮交流開(kāi)關(guān)技術(shù)。交流開(kāi)關(guān)可用作單開(kāi)關(guān)和推挽開(kāi)關(guān)。BEHLKE 開(kāi)關(guān)的控制始終通過(guò)簡(jiǎn)單的 TTL 信號實(shí)現。內部控制和安全電路提供控制脈沖整形、過(guò)頻和溫度保護。開(kāi)關(guān)不能被錯誤地控制。即使在最壞的操作條件下，它們也始終處于完全開(kāi)啟或關(guān)閉狀態(tài)，絕不會(huì )介于兩者之間。并且開(kāi)通或關(guān)斷上升時(shí)間不受任何外部影響，保證了整個(gè)應用電路非常高的開(kāi)關(guān)重復性和非常好的長(cháng)期可靠性?？勺儗〞r(shí)間開(kāi)關(guān)的控制電路有一個(gè)額外的禁止輸入，允許連接外部過(guò)流傳感器，外部熱觸發(fā)器或其他外部安全電路。所有開(kāi)關(guān)都具有可選的冷卻功能，例如改進(jìn)的導熱性（選項 ITC）、非導電陶瓷冷卻表面（選項 CCS）、隔離銅冷卻法蘭（選項 GCF）、非導電陶瓷冷卻法蘭（選項 GCF-CER） ，或銅（選項 CF）或輕質(zhì)石墨材料（選項 CF-GRA）的非隔離散熱片。對于電暈臨界應用，散熱片也可以由非導電高性能陶瓷制成（選項 CF-CER）。如果空氣冷卻達到極限，則應用液體冷卻。液體冷卻有兩種方式：間接液體冷卻（選項 ILC）和直接液體冷卻（選項 DLC）。間接液體冷卻具有中等冷卻效率，設計用于簡(jiǎn)單的導電和非導電冷卻劑，例如自來(lái)水或去離子水。更高效、更適合高頻操作的是直接液體冷卻（選項 DLC），它利用全氟聚醚 (PFP??E)、全氟碳 (PFC) 或氫氟醚 (HFE) 作為非導電冷卻劑?？筛鶕筇峁┚哂袉为氹姎夂蜋C械修改的定制開(kāi)關(guān)。請咨詢(xún) BEHLKE 或發(fā)送 可應要求提供具有單獨電氣和機械修改的定制開(kāi)關(guān)。請咨詢(xún) BEHLKE 或發(fā)送 可應要求提供具有單獨電氣和機械修改的定制開(kāi)關(guān)。請咨詢(xún) BEHLKE 或發(fā)送技術(shù)咨詢(xún)。

 

 

晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準時(shí) 可變接通時(shí)間 VAR。推拉 高壓脈沖發(fā)生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件

 

  開(kāi)關(guān)，電流取決于導通時(shí)間，可控硅晶閘管。 千安應用，充電和放電，撬棍。

  開(kāi)關(guān)，固定導通時(shí)間，標準，MOSFET。一般脈沖應用、充電和放電、脈沖電場(chǎng)。

  開(kāi)關(guān)，固定導通時(shí)間， 高 di/dt，MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發(fā)能力、快速充放電。

  開(kāi)關(guān)，固定導通時(shí)間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。

  開(kāi)關(guān)，固定導通時(shí)間，低導通電阻，溝槽 FET。  大電流，中速充放電。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，標準，MOSFET。 一般脈沖和開(kāi)關(guān)應用，快速上升時(shí)間，高頻。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時(shí)間。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓撲結構具有出色的瞬態(tài)抗擾度。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，低導通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導通損耗

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，交流 MOSFET。pos的雙向開(kāi)關(guān)。＆否定。電壓無(wú)極變化。交流高達 5 MHz。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑。真正的方波脈沖。

  開(kāi)關(guān)，可變導通時(shí)間，交流推挽，MOSFET。無(wú)極性變化的正負電壓半橋。

   高壓脈沖發(fā)生器單元。實(shí)驗室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅動(dòng)器。

  FDA，快速恢復高壓二極管組件?？焖倮m流二極管和網(wǎng)絡(luò )。

  DLC，用于高壓電子設備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。

  高壓零件組件和配件。電阻器、電容器、快速高壓探頭、超快速高壓衰減器。