HVP高壓固態(tài)開(kāi)關(guān)HTS 60-1000-SCR高峰值電流能力

高壓開(kāi)關(guān)電流取決于時(shí)間，晶閘管/可控硅

與具有非常有限的 dv/dt 和 di/dt 功能的經(jīng)典圓盤(pán)晶閘管開(kāi)關(guān)相比，

快速晶閘管開(kāi)關(guān)模塊由大量并聯(lián)和串聯(lián)的較小晶閘管芯片（多達 1000 個(gè)單個(gè)晶閘管芯片）組成，

因此 dv/dt 和 di/dt 值可以有效地拆分為單個(gè)晶閘管的非臨界值。

每個(gè)晶閘管都由其自身高度同步和隔離的柵極驅動(dòng)器點(diǎn)火。

這允許非常短的柵極布線(xiàn)，并避免危險的熱點(diǎn)，例如經(jīng)典晶閘管開(kāi)關(guān)設計中已知的熱點(diǎn)。

設備

高峰值電流能力

高度擁堵容限

通過(guò)簡(jiǎn)單的 TTL 觸發(fā)脈沖 （2-5 V） 輕松觸發(fā)

技術(shù)參數

最大電壓 （kV）6

峰值電流 （A）10000

峰值功率 （MW） 60

導通時(shí)間 （μs）35... ∞  

外殼尺寸 （mm3 ） 122 x 64 x 31

說(shuō)明

這些固態(tài)開(kāi)關(guān)專(zhuān)為高壓高峰值電流開(kāi)關(guān)應用而設計，例如壓電

驅動(dòng)器、閃光燈驅動(dòng)器、撬棒電路和浪涌發(fā)生器。這里描述的

開(kāi)關(guān)模塊是在一種特殊類(lèi)型的可控硅(硅控整流器)的基礎上

開(kāi)發(fā)的，具有非常高的浪涌電流能力。每個(gè)開(kāi)關(guān)模塊由大量的

這些可控硅串聯(lián)和并聯(lián)組成。非?？焖俸屯介_(kāi)啟的所有可控

硅的是由一個(gè)特殊的低阻抗驅動(dòng)電路，它還提供了從控制輸入

電流隔離。內部電流路徑優(yōu)化考慮雜散電感，允許導通

電流的變化率。與傳統的高壓開(kāi)關(guān)如火花隙、電子管、氣體放

電管和機械開(kāi)關(guān)相比，HTS-SCR系列晶閘管開(kāi)關(guān)具有非常低的

抖動(dòng)和穩定的開(kāi)關(guān)特性，不受溫度和年齡的影響。平均無(wú)沒(méi)障

時(shí)間(平均沒(méi)故障工作時(shí)間)比傳統的高壓開(kāi)關(guān)高出幾個(gè)數量

級。

設計

抗干擾控制電路提供信號調節、輔助電壓監控、頻率限制和溫度保護。在錯誤的操作條件下

，開(kāi)關(guān)立即關(guān)閉并產(chǎn)生故障信號。一個(gè)特殊的同步輸入允

許多達50個(gè)開(kāi)關(guān)模塊的并行互連，以增加單個(gè)模塊的導

通峰值電流。開(kāi)關(guān)是由一個(gè)3到10伏的正向信號觸發(fā)的。

被觸發(fā)后的SCR開(kāi)關(guān)保持在導通狀態(tài)，直到負載電流低于保持電流(典型的晶

閘管行為)。關(guān)斷過(guò)程需要電流換向、電流限制或電流旁路。

在大多數放電應用中，關(guān)斷過(guò)程可以簡(jiǎn)單地通過(guò)保持能量存儲

電容器的充電電流低于開(kāi)關(guān)的保持電流來(lái)執行。高于保持電流

的充電電流需要旁路開(kāi)關(guān)，優(yōu)選采用MOSFET技術(shù)。

HVP高壓固態(tài)開(kāi)關(guān)HTS 60-1000-SCR

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