behlke高溫超導 81-06-GSM開(kāi)關(guān)用于實(shí)驗室

 

behlke hts 81-06-gsm

技術(shù)數據：

最大工作電壓  2*8000  2*15000

最小工作電壓  0           0

典型   2*18000

電隔離                 20000

峰值電流能力        40000

聯(lián)系負載電流 2*60        2*30

離態(tài)電流        2*0.91    2*0.41

傳播延遲時(shí)間           150  

典型輸出轉換時(shí)間      400  

最小輸出脈沖寬度       0.1

最大輸出脈沖寬度        2 

最小脈沖間距              10

典型輸出脈沖抖動(dòng)        10

連續切換頻率             2*15

最大突發(fā)頻率             2*20

最大持續功率             2.150

線(xiàn)性降額                   2*3.33

溫度范圍                   -40-70

 

behlkeHTS-GSM 系列的開(kāi)關(guān)模塊由兩個(gè)相同的 MOSFET 開(kāi)關(guān)路徑組成，分別形成所謂的哈利橋電路和推挽電路。behlkeHTS-GSM 系列兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑由一個(gè)公共驅動(dòng)器控制，該驅動(dòng)器還為其中一個(gè)開(kāi)關(guān)提供邏輯信號否定。推挽電路不需要大的儲能電容器來(lái)實(shí)現低脈沖壓降，并且由于沒(méi)有工作電阻功率損耗，因此無(wú)論脈沖寬度、頻率和占空比如何，推挽式脈沖發(fā)生器的效率都非常出色。脈沖發(fā)生器僅汲取電流以對連接的負載電容充電。由于開(kāi)關(guān)的時(shí)序極其精確，除了開(kāi)關(guān)自然電容的峰值充電電流外，電橋中也幾乎沒(méi)有交叉電流。

 

 

behlke   HTS 81-06-GSM 2*8KV /60A

behlke   HTS 151-03-GSM 2*15KV /30A

behlke   HTS 40-1000-SCR，4KV  10000A

 behlke   HTS 60-1000-SCR，6KV 10000A

behlke   HTS 60-100-SCR，6KV 1000A

behlke   HTS 60-200-SCR，6kv 2000A