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      OSI Optoelectronics砷化鎵光電二極管技術(shù)指導

          

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      品牌OSI Optoelectronics 有效期至長(cháng)期有效 最后更新2022-04-11 14:32
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      OSI Optoelectronics砷化鎵光電二極管技術(shù)指導

      OSI Optoelectronics砷化鎵光電二極管技術(shù)指導

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      三、砷化鎵光電二極管
       
      1、GaAs光電二極管陣列
       
      產(chǎn)品介紹:
       
      FCI-GaAs-XXm是4或12元件GaAsPIN光電探測器陣列,專(zhuān)為高速光纖接收器和監控應用而設計。70µm直徑的元件能夠實(shí)現2.5Gbps的數據速率。該陣列鍍有增透膜,對電信波長(cháng)敏感,是250µm間距的SM或MM光纖帶的完美接收器。FCI-GaAs-XXM是環(huán)繞式陶瓷底座的標準配置。
       
      板級觸點(diǎn)的間距為0.5毫米。
       
      2、GaAs光電二極管放大器混合器
       
      FCI-H125/250G-GaAs-100系列有源面積為100µm,是我們的高速GaAs光電探測器與寬動(dòng)態(tài)范圍跨阻放大器的緊湊集成。將探測器與TIA結合在一個(gè)密封的4針TO-46或TO-52封裝中,為高速信號放大提供了理想條件。650nm至860nm的低電容、低暗電流和高響應度使這些器件成
       
      為L(cháng)AN、MAN和其他高速通信系統中使用的高比特率接收器的理想選擇。TO封裝標配有透鏡帽以提高耦合效率,或帶有寬帶雙面AR涂層平面窗口。FCI-H125/250G-GaAs-100系列還提供FC、SC、ST和SMA插座。
       

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